Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 9.4 A, 100 V TO-252

Voir l’ensemble des MOSFETs
Offre groupée disponible

Sous-total (1 bobine de 2000 unités)*

732,00 €

(TVA exclue)

886,00 €

(TVA incluse)

Add to Basket
sélectionner ou taper la quantité
Temporairement en rupture de stock
  • Expédition à partir du 06 avril 2026
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité
Prix par unité
la bobine*
2000 - 20000,366 €732,00 €
4000 +0,351 €702,00 €

*Prix donné à titre indicatif

N° de stock RS:
257-9401
Référence fabricant:
IRFR120NTRPBF
Fabricant:
Infineon
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout

Marque

Infineon

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

9.4A

Maximum Drain Source Voltage Vds

100V

Package Type

TO-252

Series

HEXFET

Mount Type

Through Hole

Maximum Drain Source Resistance Rds

15mΩ

Standards/Approvals

EIA-481, EIA-541

Automotive Standard

No

The Infineon IRFR series is the 100V single n channel IR mosfet in a D Pak package. The IR mosfet family of power mosfets utilizes proven silicon processes offering designers a wide portfolio of devices to support various applications such as dc motors, inverters, SMPS, lighting, load switches as well as battery powered applications.The devices are available in a variety of surface mount and through-hole packages with industry standard footprints for ease of design.

Planar cell structure for wide SOA

Optimized for broadest availability from distribution partners

Product qualification according to JEDEC standard

Silicon optimized for applications switching below 100 kHz

Industry standard surface mount package

Liens connexes