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Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 31 A, 100 V TO-252 IRFR3410TRPBF

N° de stock RS:: 257-9404
Référence fabricant:: IRFR3410TRPBF
Fabricant:: Infineon

Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 31 A, 100 V TO-252 IRFR3410TRPBF

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50 - 120	0,47 €	2,35 €
125 - 245	0,44 €	2,20 €
250 - 495	0,408 €	2,04 €
500 +	0,376 €	1,88 €

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N° de stock RS:: 257-9404
Référence fabricant:: IRFR3410TRPBF
Fabricant:: Infineon

Spécifications

Documentation technique

Législations et de normes

Détails du produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	Infineon
	Product Type	MOSFET
	Channel Type	Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id	31A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	100V
	Package Type	TO-252
	Series	HEXFET
	Mount Type	Surface
	Maximum Drain Source Resistance Rds	39mΩ
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20 V
	Maximum Power Dissipation Pd	110W
	Forward Voltage Vf	1.3V
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	37nC
	Maximum Operating Temperature	175°C
	Standards/Approvals	RoHS
	Distrelec Product Id	304-40-538
	Automotive Standard	No

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	Marque Infineon
	Product Type MOSFET
	Channel Type Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id 31A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 100V
	Package Type TO-252
	Series HEXFET
	Mount Type Surface
	Maximum Drain Source Resistance Rds 39mΩ
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V
	Maximum Power Dissipation Pd 110W
	Forward Voltage Vf 1.3V
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 37nC
	Maximum Operating Temperature 175°C
	Standards/Approvals RoHS
	Distrelec Product Id 304-40-538
	Automotive Standard No

Datasheet - IRFR3410TRPBF

The Infineon IRFR series is the 100V single n channel IR mosfet in a D Pak package. The IR mosfet family of power mosfets utilizes proven silicon processes offering designers a wide portfolio of devices to support various applications such as dc motors, inverters, SMPS, lighting, load switches as well as battery powered applications.The devices are available in a variety of surface mount and through-hole packages with industry standard footprints for ease of design.

Planar cell structure for wide SOA

Optimized for broadest availability from distribution partners

Product qualification according to JEDEC standard

Silicon optimized for applications switching below 100 kHz

Industry standard surface mount package

Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 31 A, 100 V TO-252 IRFR3410TRPBF

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