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Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 117 A, 40 V PQFN

N° de stock RS:: 257-9383
Référence fabricant:: IRFH7446TRPBF
Fabricant:: Infineon

Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 117 A, 40 V PQFN

Sous-total (1 bobine de 4000 unités)*

2 156,00 €

(TVA exclue)

2 608,00 €

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4000 +	0,539 €	2 156,00 €

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N° de stock RS:: 257-9383
Référence fabricant:: IRFH7446TRPBF
Fabricant:: Infineon

Spécifications

Documentation technique

Législations et de normes

Détails du produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	Infineon
	Channel Type	Type N
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	117A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	40V
	Package Type	PQFN
	Series	HEXFET
	Mount Type	Surface
	Maximum Drain Source Resistance Rds	3.3mΩ
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	65nC
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20 V
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Power Dissipation Pd	78W
	Forward Voltage Vf	0.9V
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Height	0.9mm
	Standards/Approvals	RoHS
	Width	6 mm
	Length	5mm
	Automotive Standard	No

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	Marque Infineon
	Channel Type Type N
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 117A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 40V
	Package Type PQFN
	Series HEXFET
	Mount Type Surface
	Maximum Drain Source Resistance Rds 3.3mΩ
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 65nC
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Power Dissipation Pd 78W
	Forward Voltage Vf 0.9V
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Height 0.9mm
	Standards/Approvals RoHS
	Width 6 mm
	Length 5mm
	Automotive Standard No

Datasheet - IRFH7446TRPBF

The Infineon IRFH series is the 40V single n channel strong IRFET power mosfet in a PQFN 5x6 package. The strong IRFET power mosfet family is optimized for low RDS (on) and high current capability. The devices are ideal for low frequency applications requiring performance and ruggedness. The comprehensive portfolio addresses a broad range of applications including dc motors, battery management systems, inverters, and dc-dc converters.

Industry standard surface mount power package

Product qualification according to JEDEC standard

Silicon optimized for applications switching below 100 kHz

Softer body diode compared to previous silicon generation

Wide portfolio available

Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 117 A, 40 V PQFN

Frais de livraison offerts pour toute commande de plus de 75,00 €

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