Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 192 A, 100 V TO-220 IRF100B201
- N° de stock RS:
- 257-9266
- Numéro d'article Distrelec:
- 304-40-512
- Référence fabricant:
- IRF100B201
- Fabricant:
- Infineon
Offre groupée disponible
Sous-total (1 paquet de 2 unités)*
3,65 €
(TVA exclue)
4,416 €
(TVA incluse)
Frais de livraison offerts pour toute commande de plus de 90,00 €
En stock
- Plus 2 250 unité(s) expédiée(s) à partir du 13 avril 2026
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité | Prix par unité | le paquet* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | 1,825 € | 3,65 € |
| 20 - 48 | 1,44 € | 2,88 € |
| 50 - 98 | 1,35 € | 2,70 € |
| 100 - 198 | 1,26 € | 2,52 € |
| 200 + | 1,165 € | 2,33 € |
*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 257-9266
- Numéro d'article Distrelec:
- 304-40-512
- Référence fabricant:
- IRF100B201
- Fabricant:
- Infineon
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 192A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 100V | |
| Package Type | TO-220 | |
| Series | HEXFET | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 4.3mΩ | |
| Forward Voltage Vf | 1.3V | |
| Standards/Approvals | No | |
| Automotive Standard | No | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 192A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 100V | ||
Package Type TO-220 | ||
Series HEXFET | ||
Mount Type Through Hole | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 4.3mΩ | ||
Forward Voltage Vf 1.3V | ||
Standards/Approvals No | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon IRF series is the strong IRFET power mosfet family is optimized for low RDS (on) and high current capability. The devices are ideal for low frequency applications requiring performance and ruggedness.
Industry standard through-hole power package
High current rating
Product qualification according to JEDEC standard
Silicon optimized for applications switching below 100 kHz
Softer body diode compared to previous silicon generation
Wide portfolio available
Liens connexes
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 100 V TO-220
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 185 A TO-220
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 185 A TO-220 AUIRFB8405
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 60 V TO-220
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 40 V TO-220
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 75 V TO-220
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 40 V TO-220
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 100 V TO-220
