Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 42 A, 85 V TO-252 IRFR2407TRPBF
- N° de stock RS:
- 257-5841
- Numéro d'article Distrelec:
- 304-40-537
- Référence fabricant:
- IRFR2407TRPBF
- Fabricant:
- Infineon
Offre groupée disponible
Sous-total (1 paquet de 5 unités)*
6,04 €
(TVA exclue)
7,31 €
(TVA incluse)
Frais de livraison offerts pour toute commande de plus de 75,00 €
En stock
- 2 695 unité(s) prête(s) à être expédiée(s) d'un autre centre de distribution
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité | Prix par unité | le paquet* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 1,208 € | 6,04 € |
| 50 - 120 | 0,988 € | 4,94 € |
| 125 - 245 | 0,93 € | 4,65 € |
| 250 - 495 | 0,856 € | 4,28 € |
| 500 + | 0,542 € | 2,71 € |
*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 257-5841
- Numéro d'article Distrelec:
- 304-40-537
- Référence fabricant:
- IRFR2407TRPBF
- Fabricant:
- Infineon
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 42A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 85V | |
| Package Type | TO-252 | |
| Series | HEXFET | |
| Mount Type | Surface | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 26mΩ | |
| Forward Voltage Vf | 1.3V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 110W | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 74nC | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Automotive Standard | No | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 42A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 85V | ||
Package Type TO-252 | ||
Series HEXFET | ||
Mount Type Surface | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 26mΩ | ||
Forward Voltage Vf 1.3V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 110W | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 74nC | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon IR MOSFET family of power MOSFETs utilizes proven silicon processes offering designers a wide portfolio of devices to support various applications such as DC motors, inverters, SMPS, lighting, load switches as well as battery powered applications. The devices are available in a variety of surface mount and through-hole packages with industry standard footprints for ease of design.
Planar cell structure for wide SOA
Optimized for broadest availability from distribution partners
Product qualification according to JEDEC standard
Silicon optimized for applications switching below <100kHz
Industry standard surface mount package
Liens connexes
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 85 V TO-252
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 3-Pin TO-252
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 55 V Enhancement, 3-Pin TO-252
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 3-Pin TO-252 IRFR4104TRLPBF
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 55 V Enhancement, 3-Pin TO-252 IRLR2905TRPBF
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 55 V Enhancement, 3-Pin TO-252 IRLR2905TRLPBF
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET & Diode 55 V Enhancement, 3-Pin TO-252
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET & Diode 55 V Enhancement, 3-Pin TO-252 IRFR1010ZTRPBF
