Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 42 A, 55 V Enhancement, 3-Pin TO-252 IRLR2905TRPBF
- N° de stock RS:
- 830-3357
- Numéro d'article Distrelec:
- 304-44-477
- Référence fabricant:
- IRLR2905TRPBF
- Fabricant:
- Infineon
Sous-total (1 paquet de 20 unités)*
26,16 €
(TVA exclue)
31,66 €
(TVA incluse)
Frais de livraison offerts pour toute commande de plus de 90,00 €
- 160 unité(s) prête(s) à être expédiée(s) d'un autre centre de distribution
- Plus 1 200 unité(s) expédiée(s) à partir du 04 septembre 2026
Unité | Prix par unité | le paquet* |
|---|---|---|
| 20 - 20 | 1,308 € | 26,16 € |
| 40 - 80 | 1,02 € | 20,40 € |
| 100 - 180 | 0,955 € | 19,10 € |
| 200 - 480 | 0,889 € | 17,78 € |
| 500 + | 0,824 € | 16,48 € |
*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 830-3357
- Numéro d'article Distrelec:
- 304-44-477
- Référence fabricant:
- IRLR2905TRPBF
- Fabricant:
- Infineon
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 42A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 55V | |
| Package Type | TO-252 | |
| Series | HEXFET | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 40mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 48nC | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 110W | |
| Forward Voltage Vf | 1.3V | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 16V | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Height | 2.39mm | |
| Length | 6.73mm | |
| Width | 6.22mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Automotive Standard | No | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 42A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 55V | ||
Package Type TO-252 | ||
Series HEXFET | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 40mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 48nC | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Power Dissipation Pd 110W | ||
Forward Voltage Vf 1.3V | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 16V | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Height 2.39mm | ||
Length 6.73mm | ||
Width 6.22mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Automotive Standard No | ||
N-Channel Power MOSFET 55V, Infineon
MOSFET Transistors, Infineon
Liens connexes
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 55 V Enhancement, 3-Pin TO-252
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET & Diode 55 V Enhancement, 3-Pin TO-252
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET & Diode 55 V Enhancement, 3-Pin TO-252 IRFR1010ZTRPBF
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 3-Pin TO-252
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 55 V Enhancement, 3-Pin TO-252
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 55 V Enhancement, 3-Pin TO-252
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 55 V Enhancement, 3-Pin TO-252
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 55 V Enhancement, 3-Pin TO-252
