Vishay Type N-Channel MOSFET, 17 A, 200 V, 3-Pin TO-220 IRL640PBF
- N° de stock RS:
- 256-7327
- Numéro d'article Distrelec:
- 304-40-860
- Référence fabricant:
- IRL640PBF
- Fabricant:
- Vishay
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- 304-40-860
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- IRL640PBF
- Fabricant:
- Vishay
Spécifications
Documentation technique
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Détails du produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Vishay | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 17A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 200V | |
| Package Type | TO-220 | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 0.028Ω | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 66nC | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 125W | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Height | 4.65mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Automotive Standard | No | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Vishay | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 17A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 200V | ||
Package Type TO-220 | ||
Mount Type Through Hole | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 0.028Ω | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 66nC | ||
Maximum Power Dissipation Pd 125W | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Height 4.65mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Automotive Standard No | ||
The Vishay Semiconductor third generation power mosfet provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness. The TO-220AB package is universally preferred for all commercial-industrial applications at power dissipation levels to approximately 50 W. The low thermal resistance and low package cost of the TO-220AB contribute to its wide acceptance throughout the industry.
Dynamic dV/dt rating
Repetitive avalanche rated
Logic-level gate drive
Fast switching
Ease of paralleling
Simple drive requirements
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