Vishay Type N-Channel MOSFET, 4.8 A, 200 V, 3-Pin TO-252 IRFR220PBF

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256-7309
Référence fabricant:
IRFR220PBF
Fabricant:
Vishay
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Marque

Vishay

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

4.8A

Maximum Drain Source Voltage Vds

200V

Package Type

TO-252

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.1Ω

Maximum Power Dissipation Pd

42W

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

No

Height

2.39mm

Automotive Standard

No

The Vishay Semiconductor third generation power mosfet provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness. The DPAK is designed for surface mounting using vapor phase, infrared, or wave soldering techniques. The straight lead version is for through-hole mounting applications. Power dissipation levels up to 1.5 W are possible in typical surface-mount applications.

Dynamic dV/dt rating

Repetitive avalanche rated

Available in tape and reel

Fast switching

Ease of paralleling

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