Vishay IRFR Type N-Channel Power MOSFET, 2.6 A, 200 V Enhancement, 3-Pin TO-252 IRFR210TRPBF
- N° de stock RS:
- 812-0616
- Référence fabricant:
- IRFR210TRPBF
- Fabricant:
- Vishay
Offre groupée disponible
Sous-total (1 paquet de 10 unités)*
10,36 €
(TVA exclue)
12,54 €
(TVA incluse)
Informations sur le stock actuellement non accessibles - Veuillez vérifier plus tard
Unité | Prix par unité | le paquet* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | 1,036 € | 10,36 € |
| 100 - 240 | 0,934 € | 9,34 € |
| 250 - 490 | 0,859 € | 8,59 € |
| 500 - 990 | 0,81 € | 8,10 € |
| 1000 + | 0,674 € | 6,74 € |
*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 812-0616
- Référence fabricant:
- IRFR210TRPBF
- Fabricant:
- Vishay
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Vishay | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | Power MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 2.6A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 200V | |
| Package Type | TO-252 | |
| Series | IRFR | |
| Mount Type | Through Hole, Surface | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 1.5Ω | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Forward Voltage Vf | 2V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 25W | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 8.2nC | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Height | 2.38mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Length | 6.73mm | |
| Automotive Standard | No | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Vishay | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type Power MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 2.6A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 200V | ||
Package Type TO-252 | ||
Series IRFR | ||
Mount Type Through Hole, Surface | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 1.5Ω | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Forward Voltage Vf 2V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 25W | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 8.2nC | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Height 2.38mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Length 6.73mm | ||
Automotive Standard No | ||
N-Channel MOSFET, 200V to 250V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Liens connexes
- Vishay IRFR Type N-Channel Power MOSFET 200 V Enhancement, 3-Pin TO-252
- Vishay IRFR Type N-Channel MOSFET 200 V Enhancement, 3-Pin TO-252
- Vishay IRFR Type N-Channel MOSFET 200 V Enhancement, 3-Pin TO-252 IRFR220TRPBF
- Vishay IRFR Type P-Channel MOSFET 200 V Enhancement, 3-Pin TO-252
- Vishay IRFR Type P-Channel MOSFET 200 V Enhancement, 3-Pin TO-252 IRFR9220TRPBF
- Vishay IRFR Type N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 3-Pin TO-252
- Vishay IRFR Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin TO-252
- Vishay IRFR Type N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 3-Pin TO-252 IRFR110PBF