Références fabricant

onsemi NTH Type N-Channel MOSFET, 58 A, 1200 V Enhancement, 7-Pin TO-247

N° de stock RS:: 254-7673
Référence fabricant:: NTHL015N065SC1
Fabricant:: onsemi

onsemi NTH Type N-Channel MOSFET, 58 A, 1200 V Enhancement, 7-Pin TO-247

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N° de stock RS:: 254-7673
Référence fabricant:: NTHL015N065SC1
Fabricant:: onsemi

Spécifications

Documentation technique

Législations et de normes

Détails du produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	onsemi
	Product Type	MOSFET
	Channel Type	Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id	58A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	1200V
	Package Type	TO-247
	Series	NTH
	Mount Type	Through Hole
	Pin Count	7
	Maximum Drain Source Resistance Rds	22mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Forward Voltage Vf	4.5V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	283nC
	Maximum Power Dissipation Pd	117W
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	22 V
	Maximum Operating Temperature	175°C
	Standards/Approvals	RoHS
	Automotive Standard	AEC-Q101

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	Marque onsemi
	Product Type MOSFET
	Channel Type Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id 58A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 1200V
	Package Type TO-247
	Series NTH
	Mount Type Through Hole
	Pin Count 7
	Maximum Drain Source Resistance Rds 22mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Forward Voltage Vf 4.5V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 283nC
	Maximum Power Dissipation Pd 117W
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 22 V
	Maximum Operating Temperature 175°C
	Standards/Approvals RoHS
	Automotive Standard AEC-Q101

Datasheet - NTHL015N065SC1

Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 12 mohm, 650 V, M2, TO-247-3L

The ON Semiconductor NTH series of a silicon carbide mosfet uses a completely new technology that provide superior switching performance and higher reliability compared to silicon. In addition with the low on resistance and compact chip size. It ensures a low capacitance and gate charge. Consequently, system benefits include highest efficiency, faster operation frequency, increased power density, reduced EMI, and reduced system size.

Used in solar inverters

High junction temperature

High speed switching and low capacitance

onsemi NTH Type N-Channel MOSFET, 58 A, 1200 V Enhancement, 7-Pin TO-247

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Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 12 mohm, 650 V, M2, TO-247-3L

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