Références fabricant

onsemi NTH Type N-Channel MOSFET, 29 A, 1200 V Enhancement, 4-Pin TO-247

N° de stock RS:: 202-5700
Référence fabricant:: NTH4L080N120SC1
Fabricant:: onsemi

onsemi NTH Type N-Channel MOSFET, 29 A, 1200 V Enhancement, 4-Pin TO-247

Actuellement indisponible

Nous ne savons pas si cet article sera de nouveau disponible. RS a l'intention de le retirer de son assortiment sous peu.

N° de stock RS:: 202-5700
Référence fabricant:: NTH4L080N120SC1
Fabricant:: onsemi

Spécifications

Documentation technique

Législations et de normes

Détails du produit

Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.

Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	onsemi
	Channel Type	Type N
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	29A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	1200V
	Package Type	TO-247
	Series	NTH
	Mount Type	Through Hole
	Pin Count	4
	Maximum Drain Source Resistance Rds	110mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Maximum Power Dissipation Pd	170W
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	25 V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	56nC
	Maximum Operating Temperature	175°C
	Standards/Approvals	RoHS
	Length	15.2mm
	Height	22.74mm
	Width	5.2 mm
	Automotive Standard	No

	Sélectionner tout
	Marque onsemi
	Channel Type Type N
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 29A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 1200V
	Package Type TO-247
	Series NTH
	Mount Type Through Hole
	Pin Count 4
	Maximum Drain Source Resistance Rds 110mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Maximum Power Dissipation Pd 170W
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 25 V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 56nC
	Maximum Operating Temperature 175°C
	Standards/Approvals RoHS
	Length 15.2mm
	Height 22.74mm
	Width 5.2 mm
	Automotive Standard No

Datasheet - NTH4L080N120SC1

Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 40 mohm, 1200 V, M1, TO-247-4L Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 40 mohm, 1200 V, M1, TO-247-4L

The ON Semiconductor Silicon Carbide Power MOSFET runs with 29 Ampere and 1200 Volts. It can be used in uninterruptible power supply, Boost inverter, Industrial Motor Drive, PV Charger.

110mO drain to source on resistance

Ultra low gate charge

100% avalanche tested

Pb free

RoHS compliant

onsemi NTH Type N-Channel MOSFET, 29 A, 1200 V Enhancement, 4-Pin TO-247

Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 40 mohm, 1200 V, M1, TO-247-4L Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 40 mohm, 1200 V, M1, TO-247-4L

Liens connexes