Texas Instruments N-Channel MOSFET, 200 A, 100 V Enhancement TO-263 CSD19532KTT
- N° de stock RS:
- 252-8488
- Référence fabricant:
- CSD19532KTT
- Fabricant:
- Texas Instruments
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| 50 - 120 | 2,708 € | 13,54 € |
| 125 - 245 | 2,438 € | 12,19 € |
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- Référence fabricant:
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- Fabricant:
- Texas Instruments
Spécifications
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Texas Instruments | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 200A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 100V | |
| Package Type | TO-263 | |
| Mount Type | Surface | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 12.9mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 1.9W | |
| Forward Voltage Vf | 1.2V | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | No | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Texas Instruments | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 200A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 100V | ||
Package Type TO-263 | ||
Mount Type Surface | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 12.9mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Power Dissipation Pd 1.9W | ||
Forward Voltage Vf 1.2V | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals No | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
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