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ROHM BSS84WAHZG Type P-Channel MOSFET, 10.7 A, 12 V Enhancement SOT BSS84WAHZGT106

N° de stock RS:: 252-3116
Référence fabricant:: BSS84WAHZGT106
Fabricant:: ROHM

ROHM BSS84WAHZG Type P-Channel MOSFET, 10.7 A, 12 V Enhancement SOT BSS84WAHZGT106

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Unité	Prix par unité	le paquet*
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50 - 75	0,128 €	3,20 €
100 - 225	0,094 €	2,35 €
250 - 975	0,092 €	2,30 €
1000 +	0,09 €	2,25 €

*Prix donné à titre indicatif

N° de stock RS:: 252-3116
Référence fabricant:: BSS84WAHZGT106
Fabricant:: ROHM

Spécifications

Documentation technique

Législations et de normes

Détails du produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	ROHM
	Product Type	MOSFET
	Channel Type	Type P
	Maximum Continuous Drain Current Id	10.7A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	12V
	Package Type	SOT
	Series	BSS84WAHZG
	Maximum Drain Source Resistance Rds	2.7mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Forward Voltage Vf	1.2V
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Power Dissipation Pd	104W
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20 V
	Maximum Operating Temperature	175°C
	Standards/Approvals	AEC-Q101
	Automotive Standard	AEC-Q101

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	Marque ROHM
	Product Type MOSFET
	Channel Type Type P
	Maximum Continuous Drain Current Id 10.7A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 12V
	Package Type SOT
	Series BSS84WAHZG
	Maximum Drain Source Resistance Rds 2.7mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Forward Voltage Vf 1.2V
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Power Dissipation Pd 104W
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V
	Maximum Operating Temperature 175°C
	Standards/Approvals AEC-Q101
	Automotive Standard AEC-Q101

Datasheet - BSS84WAHZGT106

The Rohms offers a BSS series of small signal mosfet for automotive with an ESD protection diode which is included in the industry’s favorite SOT-323 package. It is ideal for switching circuit and high-side load switch, relay driver applications.

Operating junction and storage temperature range is -55℃ to +150℃

Drain current is -0.21 A

Power dissipation is 0.3 W

ROHM BSS84WAHZG Type P-Channel MOSFET, 10.7 A, 12 V Enhancement SOT BSS84WAHZGT106

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