Infineon BSD Type P-Channel MOSFET, -0.39 A, 40 V Enhancement, 6-Pin SOT-363 BSD223PH6327XTSA1

Offre groupée disponible
Consulter les options de prix de gros

Sous-total (1 paquet de 10 unités)*

2,74 €

(TVA exclue)

3,32 €

(TVA incluse)

Add to Basket
sélectionner ou taper la quantité
En stock
  • 1 740 unité(s) prête(s) à être expédiée(s) d'un autre centre de distribution
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails

Unité
Prix par unité
le paquet*
10 - 900,274 €2,74 €
100 - 2400,258 €2,58 €
250 - 4900,167 €1,67 €
500 - 9900,138 €1,38 €
1000 +0,122 €1,22 €

*Prix donné à titre indicatif

Options de conditionnement :
N° de stock RS:
250-0521
Référence fabricant:
BSD223PH6327XTSA1
Fabricant:
Infineon
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout

Marque

Infineon

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type P

Maximum Continuous Drain Current Id

-0.39A

Maximum Drain Source Voltage Vds

40V

Package Type

SOT-363

Series

BSD

Mount Type

Surface

Pin Count

6

Maximum Drain Source Resistance Rds

1.4mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

80nC

Forward Voltage Vf

1V

Maximum Power Dissipation Pd

81W

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

RoHS

Automotive Standard

AEC-Q101

The Infineon highly innovative OptiMOS™ families include enhancement mode mosfet with Super logic level. It is avalanche and dv/dt rated. It offers fast switching. The device is Pb-free and Halogen-free. The Vds is -20 V, Rds(on) is 1.2 Ω while the Id is -0.39 A.

Consistently meet the highest quality and performance demands

Great on-state resistance and figure of merit characteristics

Liens connexes

Soyez le/la premier·ère à être informé de nos nouveautés produits et de nos offres spéciales.

adresse e-mail

Les données personnelles que vous nous fournissez en vous inscrivant à cette liste de diffusion seront traitées conformément à notre politique de confidentialité.