Infineon IAUC N-Channel MOSFET, 120 A, 40 V Enhancement, 8-Pin SuperSO8 5 x 6 IAUC120N04S6N006ATMA1
- N° de stock RS:
- 249-6882
- Référence fabricant:
- IAUC120N04S6N006ATMA1
- Fabricant:
- Infineon
Offre groupée disponible
Consulter les options de prix de grosSous-total (1 unité)*
3,47 €
(TVA exclue)
4,20 €
(TVA incluse)
Frais de livraison offerts pour toute commande de plus de 90,00 €
En stock
- 5 000 unité(s) prête(s) à être expédiée(s) d'un autre centre de distribution
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité | Prix par unité |
|---|---|
| 1 - 9 | 3,47 € |
| 10 - 24 | 3,29 € |
| 25 - 49 | 3,23 € |
| 50 - 99 | 3,02 € |
| 100 + | 2,76 € |
*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 249-6882
- Référence fabricant:
- IAUC120N04S6N006ATMA1
- Fabricant:
- Infineon
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Channel Type | N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 120A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 40V | |
| Series | IAUC | |
| Package Type | SuperSO8 5 x 6 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 8 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 1.4mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 81W | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 80nC | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20V | |
| Forward Voltage Vf | 1.3V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Channel Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 120A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 40V | ||
Series IAUC | ||
Package Type SuperSO8 5 x 6 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 8 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 1.4mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Power Dissipation Pd 81W | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 80nC | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20V | ||
Forward Voltage Vf 1.3V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
The Infineon OptiMOS is power MOSFET for automotive applications. Operating channel is N. It is AEC Q101 qualified. MSL1 up to 260°C peak reflow. Green Product (RoHS compliant) and it is 100% Avalanche tested.
175°C operating temperature
Liens connexes
- Infineon IAUC N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 8-Pin SuperSO8 5 x 6
- Infineon IAUC N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 8-Pin SuperSO8 5 x 6 IAUC100N10S5L040ATMA1
- Infineon IAUC N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 8-Pin SuperSO8 5 x 6 IAUC120N04S6L005ATMA1
- Infineon IAUC N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 8-Pin SuperSO8 5 x 6
- Infineon IAUC N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 8-Pin SuperSO8 5 x 6
- Infineon IAUC N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 8-Pin SuperSO8 5 x 6 IAUC100N04S6L020ATMA1
- Infineon IAUC N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 8-Pin SuperSO8 5 x 6 IAUC100N04S6L025ATMA1
- Infineon IAUC N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 8-Pin SuperSO8 5 x 6 IAUC100N04S6L014ATMA1