Infineon IAUC Type N-Channel MOSFET, 100 A, 40 V Enhancement, 8-Pin SuperSO8 5 x 6 IAUC100N04S6L014ATMA1

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241-9685
Référence fabricant:
IAUC100N04S6L014ATMA1
Fabricant:
Infineon
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Marque

Infineon

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

100A

Maximum Drain Source Voltage Vds

40V

Package Type

SuperSO8 5 x 6

Series

IAUC

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

1.4mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

80nC

Maximum Power Dissipation Pd

81W

Minimum Operating Temperature

-55°C

Forward Voltage Vf

1.1V

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

RoHS

Automotive Standard

AEC-Q101

The Infineon OptiMOS™ 6 N-channel automotive MOSFET has 40 V drain source voltage (VDS) & 100 A drain current (ID). It has MOS technology in the 5x6 mm² SS08 leadless package with highest quality level and robustness for automotive applications.

OptiMOS™ - power MOSFET for automotive applications

N-channel - Enhancement mode - Logic Level

AEC Q101 qualified

MSL1 up to 260°C peak reflow

175°C operating temperature

Green Product (RoHS compliant)

100% Avalanche tested

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