onsemi NTH Type N-Channel MOSFET, 58 A, 1200 V Enhancement, 3-Pin TO-247

Voir l’ensemble des MOSFETs

Sous-total (1 tube de 30 unités)*

161,64 €

(TVA exclue)

195,57 €

(TVA incluse)

Add to Basket
sélectionner ou taper la quantité
En stock
  • 630 unité(s) prête(s) à être expédiée(s) d'un autre centre de distribution
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité
Prix par unité
le tube*
30 +5,388 €161,64 €

*Prix donné à titre indicatif

N° de stock RS:
248-5819
Référence fabricant:
NTHL060N065SC1
Fabricant:
onsemi
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout

Marque

onsemi

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

58A

Maximum Drain Source Voltage Vds

1200V

Package Type

TO-247

Series

NTH

Mount Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

22mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Forward Voltage Vf

1.2V

Maximum Gate Source Voltage Vgs

22 V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

74nC

Maximum Power Dissipation Pd

117W

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

RoHS

Automotive Standard

AEC-Q101

Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 44 mohm, 650 V, M2, TO-247-3L


The ON Semiconductor Silicon Carbide (SiC) MOSFET is a N channel MOSFET with 650 V drain to source voltage and 176 W power dissipation, TO247-3L packaging and this device is Halide free and RoHS compliant with exemption 7a, Pb−Free 2LI.

Ultra low gate charge 74 nC

Low capacitance 133 pF

100 percent avalanche tested

Temperature 175°C

RDS(on) 44 mohm

Liens connexes