DiodesZetex Type P-Channel MOSFET, 9 A, 30 V Enhancement, 8-Pin PowerDI5060-8 DMT36M1LPS-13

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246-7552
Référence fabricant:
DMT36M1LPS-13
Fabricant:
DiodesZetex
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Marque

DiodesZetex

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type P

Maximum Continuous Drain Current Id

9A

Maximum Drain Source Voltage Vds

30V

Package Type

PowerDI5060-8

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.025Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation Pd

1.73W

Forward Voltage Vf

1.2V

Maximum Gate Source Voltage Vgs

8 V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

175°C

Width

5.15 mm

Height

1mm

Standards/Approvals

No

Length

6.15mm

Automotive Standard

AEC-Q101

The DiodesZetex makes an N-channel enhancement mode MOSFET, designed to minimize the on-state resistance (RDS(ON)) yet maintain superior switching performance, making it ideal for high-efficiency power management applications. It is a green device and, totally Lead, halogen and Antimony free. This MOSFET comes in powerDI5060-8 packaging. It offers fast switching and high efficiency. Its 100% unclamped inductive switching ensures more reliable and robust end application. It has an excellent Qgd xRDS(ON) product (FOM) and advanced technology for DC-DC conversion.

Maximum drain to source voltage is 30 V Maximum gate to source voltage is ±20 V It provides small form factor thermally and efficient package enables higher density end products It occupies just 33% of the board area occupied by SO-8 enabling smaller end product

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