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DiodesZetex Type P-Channel MOSFET, 9 A, 30 V Enhancement, 8-Pin PowerDI5060-8

N° de stock RS:: 246-6879
Référence fabricant:: DMT36M1LPS-13
Fabricant:: DiodesZetex

DiodesZetex Type P-Channel MOSFET, 9 A, 30 V Enhancement, 8-Pin PowerDI5060-8

Sous-total (1 bobine de 2500 unités)*

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N° de stock RS:: 246-6879
Référence fabricant:: DMT36M1LPS-13
Fabricant:: DiodesZetex

Spécifications

Documentation technique

Législations et de normes

Détails du produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	DiodesZetex
	Channel Type	Type P
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	9A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	30V
	Package Type	PowerDI5060-8
	Mount Type	Surface
	Pin Count	8
	Maximum Drain Source Resistance Rds	0.025Ω
	Channel Mode	Enhancement
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	8 V
	Maximum Power Dissipation Pd	1.73W
	Forward Voltage Vf	1.2V
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Operating Temperature	175°C
	Height	1mm
	Width	5.15 mm
	Standards/Approvals	No
	Length	6.15mm
	Automotive Standard	AEC-Q101

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	Marque DiodesZetex
	Channel Type Type P
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 9A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 30V
	Package Type PowerDI5060-8
	Mount Type Surface
	Pin Count 8
	Maximum Drain Source Resistance Rds 0.025Ω
	Channel Mode Enhancement
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 8 V
	Maximum Power Dissipation Pd 1.73W
	Forward Voltage Vf 1.2V
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Operating Temperature 175°C
	Height 1mm
	Width 5.15 mm
	Standards/Approvals No
	Length 6.15mm
	Automotive Standard AEC-Q101

Datasheet - DMT36M1LPS-13

The DiodesZetex makes an N-channel enhancement mode MOSFET, designed to minimize the on-state resistance (RDS(ON)) yet maintain superior switching performance, making it ideal for high-efficiency power management applications. It is a green device and, totally Lead, halogen and Antimony free. This MOSFET comes in powerDI5060-8 packaging. It offers fast switching and high efficiency. Its 100% unclamped inductive switching ensures more reliable and robust end application. It has an excellent Qgd xRDS(ON) product (FOM) and advanced technology for DC-DC conversion.

Maximum drain to source voltage is 30 V Maximum gate to source voltage is ±20 V It provides small form factor thermally and efficient package enables higher density end products It occupies just 33% of the board area occupied by SO-8 enabling smaller end product

DiodesZetex Type P-Channel MOSFET, 9 A, 30 V Enhancement, 8-Pin PowerDI5060-8

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