DiodesZetex 2 Type N-Channel MOSFET, 20 V Enhancement, 6-Pin SOT-363

Voir l’ensemble des MOSFETs

Sous-total (1 bobine de 3000 unités)*

150,00 €

(TVA exclue)

180,00 €

(TVA incluse)

Add to Basket
sélectionner ou taper la quantité
Temporairement en rupture de stock
  • Expédition à partir du 11 mars 2026
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité
Prix par unité
la bobine*
3000 +0,05 €150,00 €

*Prix donné à titre indicatif

N° de stock RS:
246-6798
Référence fabricant:
DMN2710UDW-7
Fabricant:
DiodesZetex
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout

Marque

DiodesZetex

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Drain Source Voltage Vds

20V

Package Type

SOT-363

Mount Type

Surface

Pin Count

6

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.75Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Source Voltage Vgs

6 V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Power Dissipation Pd

0.36W

Forward Voltage Vf

1.2V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

0.6nC

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

RoHS

Number of Elements per Chip

2

Automotive Standard

No

The DiodesZetex makes an N-channel enhancement mode MOSFET, designed to minimize the on-state resistance (RDS(ON)) yet maintain superior switching performance, making it ideal for high-efficiency power management applications. It is a green device and, totally Lead, halogen and Antimony free. This MOSFET comes in SOT363 packaging. It offers fast switching and high efficiency. Its 100% unclamped inductive switching ensures more reliable and robust end application.

Maximum drain to source voltage is 20 V and Maximum gate to source voltage is ±6 V It offers a ultra-small package size It has low input/output leakage

Liens connexes