ROHM BSM400C12P3G202 N-Channel MOSFET, 358 A, 1.2 kV Tray BSM400C12P3G202

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246-1522
Référence fabricant:
BSM400C12P3G202
Fabricant:
ROHM
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Marque

ROHM

Series

BSM400C12P3G202

Channel Type

N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current (Id)

358 A

Maximum Drain Source Voltage (Vds)

1.2 kV

Package Type

Tray

Automotive Standard

No

Forward Voltage (Vf)

2.1 V

Maximum Gate Source Voltage (Vgs)

26 V

Maximum Operating Temperature

125 °C

Maximum Power Dissipation (Pd)

800 W

Minimum Operating Temperature

-40 °C

Mount Type

Screw, Screw

Standards/Approvals

No

The BSM400C12P3G202 is a chopper module consisting of Sic UMOSFET and Sic-SBD suitable for motor drive converter photovoltaics wind power generation this power module offers low surge low switching loss high speed switching possible reduced temperature dependence the Sic half bridge power module is deal for applications such as motor drive inverter converter photovoltaics wind power generation induction heating equipment.

Low surge

Low switching loss

High speed switching possible

Reduced temperature dependence

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