Infineon IPD Type N-Channel MOSFET, 180 A, 75 V N, 3-Pin TO-252

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N° de stock RS:
244-8543
Référence fabricant:
IPD050N10N5ATMA1
Fabricant:
Infineon
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Marque

Infineon

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

180A

Maximum Drain Source Voltage Vds

75V

Series

IPD

Package Type

TO-252

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

3mΩ

Channel Mode

N

Maximum Power Dissipation Pd

81W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

80nC

Forward Voltage Vf

1.3V

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

RoHS

Automotive Standard

AEC-Q101

The Infineon MOSFET OptiMOSTM5 Power Transistor has Pb-free lead plating, RoHS compliant and is halogen-free according to IEC61249-2-21.

N-channel, normal level

Excellent gate charge x RDS(on) product (FOM)

Very low on-resistance RDS(on)

175 °C operating temperature

Ideal for high-frequency switching

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