Infineon IPD Type N-Channel MOSFET, 180 A, 75 V N, 3-Pin TO-252 IPD80R450P7ATMA1

Voir l’ensemble des MOSFETs

Sous-total (1 paquet de 2 unités)*

3,54 €

(TVA exclue)

4,28 €

(TVA incluse)

Add to Basket
sélectionner ou taper la quantité
En stock
  • 2 438 unité(s) prête(s) à être expédiée(s) d'un autre centre de distribution
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité
Prix par unité
le paquet*
2 +1,77 €3,54 €

*Prix donné à titre indicatif

Options de conditionnement :
N° de stock RS:
244-8551
Référence fabricant:
IPD80R450P7ATMA1
Fabricant:
Infineon
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout

Marque

Infineon

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

180A

Maximum Drain Source Voltage Vds

75V

Package Type

TO-252

Series

IPD

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

3mΩ

Channel Mode

N

Maximum Power Dissipation Pd

81W

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

80nC

Forward Voltage Vf

1.3V

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

RoHS

Automotive Standard

AEC-Q101

The Infineon MOSFET 800V CoolMOS P7 series sets a new benchmark in 800V super junction technologies and combines best-in-class performance with state of the art ease-of-use, resulting from Infineon’s over 18 years pioneering super junction technology innovation.

Best-in-class FOM RDS(on) Eoss

Best-in-class DPAK RDS(on)

Best-in-class V(GS)th of 3V

Fully optimized portfolio

Integrated Zener Diode ESD protection

Liens connexes