Infineon AUIRFS Type N-Channel MOSFET, 24 A, 200 V, 3-Pin TO-252 AUIRFR4620TRL
- N° de stock RS:
- 244-2879
- Référence fabricant:
- AUIRFR4620TRL
- Fabricant:
- Infineon
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Unité | Prix par unité | le paquet* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | 4,13 € | 8,26 € |
| 20 - 48 | 3,715 € | 7,43 € |
| 50 - 98 | 3,46 € | 6,92 € |
| 100 - 198 | 3,215 € | 6,43 € |
| 200 + | 3,02 € | 6,04 € |
*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 244-2879
- Référence fabricant:
- AUIRFR4620TRL
- Fabricant:
- Infineon
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 24A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 200V | |
| Package Type | TO-252 | |
| Series | AUIRFS | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 3mΩ | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Forward Voltage Vf | 1.3V | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 81W | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 80nC | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 24A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 200V | ||
Package Type TO-252 | ||
Series AUIRFS | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 3mΩ | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Forward Voltage Vf 1.3V | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 81W | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 80nC | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
The Infineon AUIRFR4620TRL specifically designed for Automotive applications, this HEXFET® Power MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. Additional features of this design are a 175°C junction operating temperature, fast switching speed and improved repetitive avalanche rating .These features combine to make this design an extremely efficientand reliable device for use in Automotive applications and a widevariety of other applications.
Advanced Process Technology
Ultra Low On-Resistance
Dynamic dV/dT Rating
Fast Switching
Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax
Lead-Free, RoHS Compliant
Automotive Qualified *
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