Infineon IPL Type N-Channel MOSFET, 4.5 A, 800 V, 8-Pin TO-263 IPLU300N04S4R8XTMA1
- N° de stock RS:
- 244-0900
- Référence fabricant:
- IPLU300N04S4R8XTMA1
- Fabricant:
- Infineon
Offre groupée disponible
Sous-total (1 unité)*
5,73 €
(TVA exclue)
6,93 €
(TVA incluse)
Frais de livraison offerts pour toute commande de plus de 75,00 €
En stock
- 1 984 unité(s) prête(s) à être expédiée(s) d'un autre centre de distribution
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité | Prix par unité |
|---|---|
| 1 - 9 | 5,73 € |
| 10 - 24 | 5,44 € |
| 25 - 49 | 5,31 € |
| 50 - 99 | 4,96 € |
| 100 + | 4,64 € |
*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 244-0900
- Référence fabricant:
- IPLU300N04S4R8XTMA1
- Fabricant:
- Infineon
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 4.5A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 800V | |
| Package Type | TO-263 | |
| Series | IPL | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 8 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 1.2mΩ | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 81W | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 80nC | |
| Forward Voltage Vf | 1V | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Length | 6.42mm | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 4.5A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 800V | ||
Package Type TO-263 | ||
Series IPL | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 8 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 1.2mΩ | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 81W | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 80nC | ||
Forward Voltage Vf 1V | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Length 6.42mm | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
Infineons OptiMOS power MOSFET in TO-Leadless package is optimized for high current applications up to 300 A, such as forklifts, light electric vehicles (LEV), power tools, point-of-loads (POL), telecom and e-fuses. Furthermore, the 60 percent smaller package size enables a very compact design.
N-channel, normal level
100% avalanche tested
Pb-free plating
RoHS compliant
Liens connexes
- Infineon N-Channel MOSFET 40 V D2PAK IPLU300N04S4R8XTMA1
- Infineon N-Channel MOSFET 80 V D2PAK IAUT300N08S5N014ATMA1
- Infineon N-Channel MOSFET 80 V D2PAK IPT012N08N5ATMA1
- Infineon HEXFET N-Channel MOSFET 60 V, 7-Pin D2PAK-7 IRLS3036TRL7PP
- Infineon HEXFET N-Channel MOSFET 40 V, 6-Pin D2PAK IRFS7430TRL7PP
- Infineon HEXFET N-Channel MOSFET 40 V, 3-Pin D2PAK IRFS7437TRLPBF
- Infineon HEXFET N-Channel MOSFET 40 V, 3-Pin D2PAK IRF1404ZSTRLPBF
- Infineon IRFS7 N-Channel MOSFET 40 V, 3-Pin D2PAK IRFS7430TRLPBF
