Infineon IPD Type N-Channel MOSFET, 180 A, 100 V N, 3-Pin TO-252

Sous-total (1 bobine de 2500 unités)*

2 505,00 €

(TVA exclue)

3 030,00 €

(TVA incluse)

Add to Basket
sélectionner ou taper la quantité
Temporairement en rupture de stock
  • Expédition à partir du 20 avril 2026
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité
Prix par unité
la bobine*
2500 +1,002 €2 505,00 €

*Prix donné à titre indicatif

N° de stock RS:
244-0877
Référence fabricant:
IPD50N10S3L16ATMA1
Fabricant:
Infineon
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout

Marque

Infineon

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

180A

Maximum Drain Source Voltage Vds

100V

Package Type

TO-252

Series

IPD

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.7mΩ

Channel Mode

N

Maximum Power Dissipation Pd

81W

Forward Voltage Vf

1V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

80nC

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

RoHS

Automotive Standard

AEC-Q101

The Infineon MOSFET OptiMOSTM Power Transistor is a Green product RoHS compliant and is Automotive AEC Q101 qualified.

N-channel - Enhancement mode

MSL1 up to 260°C peak reflow

175°C operating temperature

100% Avalanche tested

Liens connexes