Infineon BSC Type N-Channel MOSFET, 381 A, 40 V N, 8-Pin SuperSO8 5 x 6 BSC0504NSIATMA1
- N° de stock RS:
- 243-9327
- Référence fabricant:
- BSC0504NSIATMA1
- Fabricant:
- Infineon
Offre groupée disponible
Sous-total (1 paquet de 5 unités)*
2,17 €
(TVA exclue)
2,625 €
(TVA incluse)
Frais de livraison offerts pour toute commande de plus de 75,00 €
En stock
- Plus 4 865 unité(s) expédiée(s) à partir du 19 janvier 2026
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité | Prix par unité | le paquet* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 0,434 € | 2,17 € |
| 50 - 120 | 0,386 € | 1,93 € |
| 125 - 245 | 0,36 € | 1,80 € |
| 250 - 495 | 0,338 € | 1,69 € |
| 500 + | 0,314 € | 1,57 € |
*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 243-9327
- Référence fabricant:
- BSC0504NSIATMA1
- Fabricant:
- Infineon
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 381A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 40V | |
| Series | BSC | |
| Package Type | SuperSO8 5 x 6 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 8 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 0.7mΩ | |
| Channel Mode | N | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 81W | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 80nC | |
| Forward Voltage Vf | 1V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Automotive Standard | No | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 381A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 40V | ||
Series BSC | ||
Package Type SuperSO8 5 x 6 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 8 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 0.7mΩ | ||
Channel Mode N | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 81W | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 80nC | ||
Forward Voltage Vf 1V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon has MOSFET which is OptiMOS power MOSFET,Integrated monolithic Schottky-like diode and Optimized for high performance Buck converter.
N Channel
Superior thermal resistance
Pb-free lead plating;RoHS compliant
Halogen-free according to IEC61249-2-21
Liens connexes
- Infineon BSC Type N-Channel MOSFET 40 V N, 8-Pin SuperSO8 5 x 6
- Infineon BSC Type N-Channel MOSFET 40 V N, 8-Pin SuperSO8 5 x 6 BSC0901NSATMA1
- Infineon BSC Type N-Channel MOSFET 40 V N, 8-Pin SuperSO8 5 x 6 BSC066N06NSATMA1
- Infineon BSC Type N-Channel MOSFET 40 V N, 8-Pin SuperSO8 5 x 6 BSC0501NSIATMA1
- Infineon BSC Type N-Channel MOSFET 40 V N, 8-Pin SuperSO8 5 x 6 BSC037N08NS5TATMA1
- Infineon BSC Type N-Channel MOSFET 40 V N, 8-Pin SuperSO8 5 x 6 BSC0904NSIATMA1
- Infineon BSC Type N-Channel MOSFET 40 V N, 8-Pin SuperSO8 5 x 6 BSC0906NSATMA1
- Infineon BSC Type N-Channel MOSFET 40 V N, 8-Pin SuperSO8 5 x 6 BSC059N04LS6ATMA1