Infineon IPZ Type N-Channel MOSFET, 40 A, 40 V, 8-Pin SuperSO8 5 x 6 IPZ40N04S5L7R4ATMA1
- N° de stock RS:
- 243-9321
- Référence fabricant:
- IPZ40N04S5L7R4ATMA1
- Fabricant:
- Infineon
Offre groupée disponible
Sous-total (1 paquet de 10 unités)*
5,76 €
(TVA exclue)
6,97 €
(TVA incluse)
Frais de livraison offerts pour toute commande de plus de 75,00 €
En stock
- 42 790 unité(s) prête(s) à être expédiée(s) d'un autre centre de distribution
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité | Prix par unité | le paquet* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | 0,576 € | 5,76 € |
| 100 - 240 | 0,548 € | 5,48 € |
| 250 - 490 | 0,524 € | 5,24 € |
| 500 - 990 | 0,501 € | 5,01 € |
| 1000 + | 0,466 € | 4,66 € |
*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 243-9321
- Référence fabricant:
- IPZ40N04S5L7R4ATMA1
- Fabricant:
- Infineon
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 40A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 40V | |
| Package Type | SuperSO8 5 x 6 | |
| Series | IPZ | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 8 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 1.4mΩ | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 81W | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 80nC | |
| Forward Voltage Vf | 1.1V | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 40A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 40V | ||
Package Type SuperSO8 5 x 6 | ||
Series IPZ | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 8 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 1.4mΩ | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Power Dissipation Pd 81W | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 80nC | ||
Forward Voltage Vf 1.1V | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
The Infineon has MOSFET which is OptiMOS power MOSFET for automotive applications, N-channel-Enhancement mode-Logic Level and AEC Q101 qualified.
N Channel
100% Avalanche tested
AEC Q101 qualified
MSL1 up to 260°C peak reflow
175°C operating temperature
Green Product (RoHS compliant)
Liens connexes
- Infineon N-Channel MOSFET Transistor 16 V, 8-Pin SuperSO8 5 x 6 IPZ40N04S5L7R4ATMA1
- Infineon N-Channel MOSFET Transistor 40 V, 8-Pin SuperSO8 5 x 6 IPZ40N04S5L2R8ATMA1
- Infineon N-Channel MOSFET Transistor 40 V, 8-Pin SuperSO8 5 x 6 BSZ063N04LS6ATMA1
- Infineon N-Channel MOSFET Transistor 40 V, 8-Pin SuperSO8 5 x 6 IAUC100N04S6L025ATMA1
- Infineon N-Channel MOSFET Transistor 40 V, 8-Pin SuperSO8 5 x 6 IAUC100N04S6L014ATMA1
- Infineon N-Channel MOSFET Transistor 40 V, 8-Pin SuperSO8 5 x 6 IAUC100N04S6L020ATMA1
- Infineon N-Channel MOSFET Transistor 40 V, 8-Pin SuperSO8 5 x 6 BSC059N04LS6ATMA1
- Infineon N-Channel MOSFET Transistor 16 V, 8-Pin SuperSO8 5 x 6 IPC50N04S5L5R5ATMA1