Infineon IPA Type N-Channel MOSFET, 84 A, 40 V N, 3-Pin TO-220 IPA60R180P7XKSA1
- N° de stock RS:
- 242-0984
- Référence fabricant:
- IPA60R180P7XKSA1
- Fabricant:
- Infineon
Offre groupée disponible
Sous-total (1 paquet de 2 unités)*
5,09 €
(TVA exclue)
6,158 €
(TVA incluse)
Frais de livraison offerts pour toute commande de plus de 75,00 €
En stock
- Plus 468 unité(s) expédiée(s) à partir du 12 janvier 2026
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité | Prix par unité | le paquet* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | 2,545 € | 5,09 € |
| 20 - 48 | 2,265 € | 4,53 € |
| 50 - 98 | 2,11 € | 4,22 € |
| 100 - 198 | 1,96 € | 3,92 € |
| 200 + | 1,835 € | 3,67 € |
*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 242-0984
- Référence fabricant:
- IPA60R180P7XKSA1
- Fabricant:
- Infineon
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 84A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 40V | |
| Series | IPA | |
| Package Type | TO-220 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 2.9mΩ | |
| Channel Mode | N | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Forward Voltage Vf | 1.2V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 80nC | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 81W | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Automotive Standard | No | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 84A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 40V | ||
Series IPA | ||
Package Type TO-220 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 2.9mΩ | ||
Channel Mode N | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Forward Voltage Vf 1.2V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 80nC | ||
Maximum Power Dissipation Pd 81W | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon N-channel power MOSFET is in the package form of TO-220-3. The maximum continous drain current is 18 A and drain source voltage is 600 V. The operating temperature is -55 °C to 175 °C.
Through hole mounting technology
26 W Power Dissipation
Suitable for hard and soft switching (PFC and LLC)
Outstanding commutation ruggedness
Significant reduction of switching and conduction losses.
Excellent ESD robustness
Liens connexes
- Infineon IPA Type N-Channel MOSFET 40 V N, 3-Pin TO-220
- Infineon IPA Type N-Channel MOSFET 40 V N, 3-Pin TO-220 IPA80R1K2P7XKSA1
- Infineon IPA Type N-Channel MOSFET 40 V P, 3-Pin TO-220
- Infineon IPA Type N-Channel MOSFET 40 V P, 3-Pin TO-220 IPA80R280P7XKSA1
- Infineon IPA Type N-Channel MOSFET 40 V P, 3-Pin TO-220 IPA029N06NXKSA1
- Infineon IPA Type N-Channel MOSFET, 14.1 A N TO-220
- Infineon IPA Type N-Channel MOSFET, 10.1 A N TO-220
- Infineon IPA Type N-Channel MOSFET, 9.9 A N TO-220