Infineon BSC Type N-Channel MOSFET, 381 A, 40 V N, 8-Pin TDSON BSC110N15NS5ATMA1
- N° de stock RS:
- 241-9972
- Référence fabricant:
- BSC110N15NS5ATMA1
- Fabricant:
- Infineon
Offre groupée disponible
Sous-total (1 unité)*
2,34 €
(TVA exclue)
2,83 €
(TVA incluse)
Frais de livraison offerts pour toute commande de plus de 75,00 €
Temporairement en rupture de stock
- Expédition à partir du 29 mai 2026
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité | Prix par unité |
|---|---|
| 1 - 9 | 2,34 € |
| 10 - 24 | 2,23 € |
| 25 - 49 | 2,17 € |
| 50 - 99 | 2,04 € |
| 100 + | 1,91 € |
*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 241-9972
- Référence fabricant:
- BSC110N15NS5ATMA1
- Fabricant:
- Infineon
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 381A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 40V | |
| Package Type | TDSON | |
| Series | BSC | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 8 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 0.7mΩ | |
| Channel Mode | N | |
| Forward Voltage Vf | 1V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 80nC | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 81W | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Automotive Standard | No | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 381A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 40V | ||
Package Type TDSON | ||
Series BSC | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 8 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 0.7mΩ | ||
Channel Mode N | ||
Forward Voltage Vf 1V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 80nC | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 81W | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon Optimos 5 Power-Transistor is an N channel MOSFET which is ideal for high frequency switching and synchronous rectification. It is qualified according to JEDEC for target application.
Very low on-resistance
Operating temperature is 150 degree Celsius
Liens connexes
- Infineon N-Channel MOSFET 150 V, 8-Pin TDSON BSC110N15NS5ATMA1
- Infineon BSC N-Channel MOSFET 150 V, 8-Pin PG-TDSON-8 BSC105N15LS5ATMA1
- Infineon BSC N-Channel MOSFET 150 V, 8-Pin PG-TDSON-8 BSC088N15LS5ATMA1
- Infineon BSC N-Channel MOSFET 150 V, 8-Pin PG-TDSON-8 BSC152N15LS5ATMA1
- Infineon OptiMOS™ 3 N-Channel MOSFET 150 V, 8-Pin TDSON BSC520N15NS3GATMA1
- Infineon OptiMOS Power Transistor SiC P-Channel MOSFET 150 V, 8-Pin PG-TDSON-8 ISC16DP15LMATMA1
- Infineon N-Channel MOSFET 100 V, 8-Pin TDSON BSC070N10LS5ATMA1
- Infineon N-Channel MOSFET 30 V, 8-Pin TDSON ISC045N03L5SATMA1