Infineon BSC Type N-Channel MOSFET, 381 A, 40 V N, 8-Pin TDSON BSC070N10LS5ATMA1
- N° de stock RS:
- 241-9879
- Référence fabricant:
- BSC070N10LS5ATMA1
- Fabricant:
- Infineon
Offre groupée disponible
Sous-total (1 paquet de 2 unités)*
2,93 €
(TVA exclue)
3,546 €
(TVA incluse)
Frais de livraison offerts pour toute commande de plus de 75,00 €
En stock
- 4 412 unité(s) prête(s) à être expédiée(s) d'un autre centre de distribution
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité | Prix par unité | le paquet* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | 1,465 € | 2,93 € |
| 20 - 48 | 1,26 € | 2,52 € |
| 50 - 98 | 1,19 € | 2,38 € |
| 100 - 198 | 1,10 € | 2,20 € |
| 200 + | 1,025 € | 2,05 € |
*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 241-9879
- Référence fabricant:
- BSC070N10LS5ATMA1
- Fabricant:
- Infineon
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 381A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 40V | |
| Package Type | TDSON | |
| Series | BSC | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 8 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 0.7mΩ | |
| Channel Mode | N | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Forward Voltage Vf | 1V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 81W | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 80nC | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Automotive Standard | No | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 381A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 40V | ||
Package Type TDSON | ||
Series BSC | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 8 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 0.7mΩ | ||
Channel Mode N | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Forward Voltage Vf 1V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 81W | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 80nC | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon OptiMOS 5 Power-Transistor is a N channel MOSFET which is 100% avalanche tested. It has superior thermal resistance.
Optimized for high performance SMPS
Halogen-free according to IEC61249-2-21
Liens connexes
- Infineon N-Channel MOSFET 100 V, 8-Pin TDSON BSC070N10LS5ATMA1
- Infineon N-Channel MOSFET 30 V, 8-Pin TDSON ISC011N03L5SATMA1
- Infineon N-Channel MOSFET 100 V, 8-Pin TDSON BSC034N10LS5ATMA1
- Infineon N-Channel MOSFET 100 V, 8-Pin TDSON BSC096N10LS5ATMA1
- Infineon N-Channel MOSFET 100 V, 8-Pin TDSON IAUC90N10S5N062ATMA1
- Infineon N-Channel MOSFET 100 V PG-TDSON-8 IPB123N10N3GATMA1
- Infineon N-Channel MOSFET 80 V PG-TDSON-8 IAUC100N08S5N031ATMA1
- Infineon N-Channel MOSFET 100 V PG-TDSON-8 BSZ440N10NS3GATMA1
