Vishay Type N-Channel MOSFET, 42.4 A, 60 V Depletion, 8-Pin PowerPAK SO-8

Voir l’ensemble des MOSFETs

Sous-total (1 bobine de 3000 unités)*

1 614,00 €

(TVA exclue)

1 953,00 €

(TVA incluse)

Add to Basket
sélectionner ou taper la quantité
En stock
  • Plus 3 000 unité(s) expédiée(s) à partir du 19 janvier 2026
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité
Prix par unité
la bobine*
3000 +0,538 €1 614,00 €

*Prix donné à titre indicatif

N° de stock RS:
239-8655
Référence fabricant:
SIR576DP-T1-RE3
Fabricant:
Vishay
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout

Marque

Vishay

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

42.4A

Maximum Drain Source Voltage Vds

60V

Package Type

PowerPAK SO-8

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.02Ω

Channel Mode

Depletion

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Maximum Power Dissipation Pd

83W

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

56nC

Maximum Operating Temperature

125°C

Standards/Approvals

No

Width

5.15 mm

Automotive Standard

AEC-Q101

The Vishay TrenchFET® is automotive Gen IV power N-Channel MOSFET which operates at 150 V. This MOSFET used for power supply, motor drive control and synchronous rectification.

Very low resistance

UIS tested

Liens connexes