Vishay Type N-Channel MOSFET, 93.6 A, 60 V Depletion, 8-Pin PowerPAK SO-8

Voir l’ensemble des MOSFETs

Sous-total (1 bobine de 3000 unités)*

1 794,00 €

(TVA exclue)

2 172,00 €

(TVA incluse)

Add to Basket
sélectionner ou taper la quantité
Temporairement en rupture de stock
  • 3 000 unité(s) prête(s) à être expédiée(s) d'un autre centre de distribution
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité
Prix par unité
la bobine*
3000 +0,598 €1 794,00 €

*Prix donné à titre indicatif

N° de stock RS:
239-8643
Référence fabricant:
SIR188LDP-T1-RE3
Fabricant:
Vishay
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout

Marque

Vishay

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

93.6A

Maximum Drain Source Voltage Vds

60V

Package Type

PowerPAK SO-8

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

3.75mΩ

Channel Mode

Depletion

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Maximum Power Dissipation Pd

83W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

56nC

Maximum Operating Temperature

125°C

Width

5.15 mm

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

AEC-Q101

The Vishay TrenchFET® is Gen IV power N-Channel MOSFET which operates at 60 V. This MOSFET used for primary side switch, motor drive switch and synchronous rectification.

Very low resistance

UIS tested

Liens connexes