Vishay SIA Type P-Channel MOSFET, 9 A, 20 V PowerPAK SC-70 SIA4265EDJ-T1-GE3

Voir l’ensemble des MOSFETs

Sous-total (1 bobine de 3000 unités)*

444,00 €

(TVA exclue)

537,00 €

(TVA incluse)

Add to Basket
sélectionner ou taper la quantité
En stock
  • 3 000 unité(s) prête(s) à être expédiée(s) d'un autre centre de distribution
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité
Prix par unité
la bobine*
3000 +0,148 €444,00 €

*Prix donné à titre indicatif

N° de stock RS:
239-5367
Référence fabricant:
SIA4265EDJ-T1-GE3
Fabricant:
Vishay
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout

Marque

Vishay

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type P

Maximum Continuous Drain Current Id

9A

Maximum Drain Source Voltage Vds

20V

Package Type

PowerPAK SC-70

Series

SIA

Mount Type

Surface

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.032Ω

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

13.8nC

Maximum Power Dissipation Pd

15.6W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

±8 V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

RoHS

The Vishay P channel MOSFET has drain current of -9 A. It is used for Load switches, battery switches, charger switches

100 % Rg tested

Thermally enhanced PowerPAK® SC-70 package

Small footprint area

Low on-resistance

Typical ESD protection: 3000 V (HBM)

Liens connexes