Infineon OptiMOS™ Type N-Channel MOSFET, 433 A, 30 V, 8-Pin TDSON BSC005N03LS5IATMA1

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N° de stock RS:
236-3644
Référence fabricant:
BSC005N03LS5IATMA1
Fabricant:
Infineon
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Marque

Infineon

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

433A

Maximum Drain Source Voltage Vds

30V

Series

OptiMOS™

Package Type

TDSON

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

5.5mΩ

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

51nC

Maximum Power Dissipation Pd

188W

Minimum Operating Temperature

-55°C

Forward Voltage Vf

0.7V

Maximum Operating Temperature

175°C

Length

5.49mm

Width

6.35 mm

Standards/Approvals

No

Height

1.1mm

Automotive Standard

No

The Infineon OptiMOS power MOSFET offers Benchmark solutions by enabling highest power density and energy efficiency, both in stand by and full operation. It offers drain source on-state resistance of 0.55 m Ohm.

Highest efficiency

Highest power density in SuperSO8 package

Reduction of overall system costs

RoHS compliant

Halogen free

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