Infineon OptiMOS™ Type N-Channel MOSFET, 479 A, 25 V, 8-Pin TDSON BSC004NE2LS5ATMA1

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236-3641
Référence fabricant:
BSC004NE2LS5ATMA1
Fabricant:
Infineon
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Marque

Infineon

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

479A

Maximum Drain Source Voltage Vds

25V

Package Type

TDSON

Series

OptiMOS™

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.45mΩ

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

135nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Forward Voltage Vf

1V

Maximum Power Dissipation Pd

188W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Maximum Operating Temperature

175°C

Width

6.35 mm

Height

1.1mm

Standards/Approvals

No

Length

5.49mm

Automotive Standard

No

The Infineon OptiMOS power MOSFET offers Benchmark solutions by enabling highest power density and energy efficiency, both in stand by and full operation. It offers drain source on-state resistance of 0.45 m Ohm.

Highest efficiency

Highest power density in SuperSO8 package

Reduction of overall system costs

RoHS compliant

Halogen free

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