Infineon OptiMOS™ Type N-Channel MOSFET, 479 A, 25 V, 8-Pin TDSON BSC004NE2LS5ATMA1

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236-3641
Référence fabricant:
BSC004NE2LS5ATMA1
Fabricant:
Infineon
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Marque

Infineon

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

479A

Maximum Drain Source Voltage Vds

25V

Series

OptiMOS™

Package Type

TDSON

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.45mΩ

Forward Voltage Vf

1V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Maximum Power Dissipation Pd

188W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

135nC

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

No

Height

1.1mm

Length

5.49mm

Width

6.35 mm

Automotive Standard

No

The Infineon OptiMOS power MOSFET offers Benchmark solutions by enabling highest power density and energy efficiency, both in stand by and full operation. It offers drain source on-state resistance of 0.45 m Ohm.

Highest efficiency

Highest power density in SuperSO8 package

Reduction of overall system costs

RoHS compliant

Halogen free

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