Infineon IPTG Type N-Channel MOSFET, 108 A, 200 V Enhancement, 8-Pin HSOG

Voir l’ensemble des MOSFETs

Sous-total (1 bobine de 1800 unités)*

4 699,80 €

(TVA exclue)

5 686,20 €

(TVA incluse)

Add to Basket
sélectionner ou taper la quantité
Temporairement en rupture de stock
  • Expédition à partir du 15 mai 2026
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité
Prix par unité
la bobine*
1800 +2,611 €4 699,80 €

*Prix donné à titre indicatif

N° de stock RS:
233-4388
Référence fabricant:
IPTG111N20NM3FDATMA1
Fabricant:
Infineon
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout

Marque

Infineon

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

108A

Maximum Drain Source Voltage Vds

200V

Series

IPTG

Package Type

HSOG

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

11.1mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation Pd

375W

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

63nC

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Forward Voltage Vf

1.2V

Maximum Operating Temperature

175°C

Length

10.1mm

Height

2.4mm

Width

8.75 mm

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

The Infineon OptiMOS power MOSFET IPTG111N20NM3FD comes in the improved TO-Leaded package with gullwing leads. With a compatible footprint to TO-Leadless, TOLG allows excellent electrical performance compared to D2PAK 7-pin with ∼60 percent board space reduction. This new package in OptiMOS 3 - 200 V offers very low RDS(on) and is optimized to handle high current 300 A. The flexibility of gullwing leads, OptiMOS in TOLG package shows excellent solder joint reliability on Al-IMS board.

High efficiency and lower EMI

High performance capability

Liens connexes