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onsemi SUPERFET III Type N-Channel MOSFET, 40 A, 650 V Enhancement, 4-Pin H-PSOF NTBL082N65S3HF

N° de stock RS:: 230-9083
Référence fabricant:: NTBL082N65S3HF
Fabricant:: onsemi

onsemi SUPERFET III Type N-Channel MOSFET, 40 A, 650 V Enhancement, 4-Pin H-PSOF NTBL082N65S3HF

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N° de stock RS:: 230-9083
Référence fabricant:: NTBL082N65S3HF
Fabricant:: onsemi

Spécifications

Documentation technique

Législations et de normes

Détails du produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	onsemi
	Product Type	MOSFET
	Channel Type	Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id	40A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	650V
	Package Type	H-PSOF
	Series	SUPERFET III
	Mount Type	Surface
	Pin Count	4
	Maximum Drain Source Resistance Rds	82mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	79nC
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Power Dissipation Pd	313W
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20 V
	Forward Voltage Vf	1.3V
	Maximum Operating Temperature	175°C
	Standards/Approvals	Pb-Free Halide free non AEC-Q and PPAP
	Width	2.4 mm
	Length	10.2mm
	Height	13.28mm
	Automotive Standard	No

	Sélectionner tout
	Marque onsemi
	Product Type MOSFET
	Channel Type Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id 40A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 650V
	Package Type H-PSOF
	Series SUPERFET III
	Mount Type Surface
	Pin Count 4
	Maximum Drain Source Resistance Rds 82mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 79nC
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Power Dissipation Pd 313W
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V
	Forward Voltage Vf 1.3V
	Maximum Operating Temperature 175°C
	Standards/Approvals Pb-Free Halide free non AEC-Q and PPAP
	Width 2.4 mm
	Length 10.2mm
	Height 13.28mm
	Automotive Standard No

Datasheet - NTBL082N65S3HF

The ON Semiconductor series SUPERFET III MOSFET is ON Semiconductor’s brand−new high voltage super−junction (SJ) MOSFET family that is utilizing charge balance technology for outstanding low on−resistance and lower gate charge performance. This advanced technology is tailored to minimize conduction loss, provide superior switching performance, and withstand extreme dv/dt rate. Consequently, SUPERFET III MOSFET is very suitable for the various power systems for miniaturization and higher efficiency.

High power density

Kelvin Source Configuration

Low gate noise and switching loss

Optimized Capacitance

Lower peak Vds and lower Vgs oscillation

Moisture Sensitivity Level 1 guarantee

High reliability in humid ambient condition

onsemi SUPERFET III Type N-Channel MOSFET, 40 A, 650 V Enhancement, 4-Pin H-PSOF NTBL082N65S3HF

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