onsemi Type N-Channel MOSFET, 165 A, 150 V N, 8-Pin DFN NVMTS4D3N15MC
- N° de stock RS:
- 229-6505
- Référence fabricant:
- NVMTS4D3N15MC
- Fabricant:
- onsemi
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- N° de stock RS:
- 229-6505
- Référence fabricant:
- NVMTS4D3N15MC
- Fabricant:
- onsemi
Spécifications
Documentation technique
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Détails du produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | onsemi | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 165A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 150V | |
| Package Type | DFN | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 8 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 4.45mΩ | |
| Channel Mode | N | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 292W | |
| Forward Voltage Vf | 1.2V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 79nC | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Height | 9.42mm | |
| Width | 1.2 mm | |
| Length | 8.1mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Automotive Standard | No | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque onsemi | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 165A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 150V | ||
Package Type DFN | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 8 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 4.45mΩ | ||
Channel Mode N | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 292W | ||
Forward Voltage Vf 1.2V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 79nC | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Height 9.42mm | ||
Width 1.2 mm | ||
Length 8.1mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Automotive Standard No | ||
The ON Semiconductor industrial power MOSFET in a 8x8mm flat lead package designed for compact and efficient designs and including high thermal performance. Wettable flank capable for enhanced optical inspection. It is used in reverser battery protection, switching power supplies and power switches.
Compact design
Minimize conduction losses
Minimize driver losses
Enhanced optical inspection
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