Références fabricant

onsemi Type N-Channel MOSFET, 433 A, 40 V Enhancement, 8-Pin DFN NVMTS0D7N04CLTXG

N° de stock RS:: 185-9210
Référence fabricant:: NVMTS0D7N04CLTXG
Fabricant:: onsemi

onsemi Type N-Channel MOSFET, 433 A, 40 V Enhancement, 8-Pin DFN NVMTS0D7N04CLTXG

Sous-total (1 paquet de 2 unités)*

18,83 €

(TVA exclue)

22,784 €

(TVA incluse)

Frais de livraison offerts pour toute commande de plus de 75,00 €

Dernier stock RS

132 dernière(s) unité(s), prête(s) à l'envoi d'un autre centre de distribution

Unité	Prix par unité	le paquet*
2 +	9,415 €	18,83 €

*Prix donné à titre indicatif

N° de stock RS:: 185-9210
Référence fabricant:: NVMTS0D7N04CLTXG
Fabricant:: onsemi

Spécifications

Documentation technique

Législations et de normes

Détails du produit

Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.

Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	onsemi
	Channel Type	Type N
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	433A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	40V
	Package Type	DFN
	Mount Type	Surface
	Pin Count	8
	Maximum Drain Source Resistance Rds	630μΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20 V
	Maximum Power Dissipation Pd	205W
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	99nC
	Maximum Operating Temperature	175°C
	Standards/Approvals	No
	Height	1.15mm
	Width	8 mm
	Length	8.1mm
	Automotive Standard	AEC-Q101

	Sélectionner tout
	Marque onsemi
	Channel Type Type N
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 433A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 40V
	Package Type DFN
	Mount Type Surface
	Pin Count 8
	Maximum Drain Source Resistance Rds 630μΩ
	Channel Mode Enhancement
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V
	Maximum Power Dissipation Pd 205W
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 99nC
	Maximum Operating Temperature 175°C
	Standards/Approvals No
	Height 1.15mm
	Width 8 mm
	Length 8.1mm
	Automotive Standard AEC-Q101

Datasheet NVMTS0D7N04CLTXG

Non conforme

Pays d'origine :: PH

Automotive Power MOSFET in a 8x8mm flat lead package designed for compact and efficient designs and including high thermal performance. Wettable Flank Option available for Enhanced Optical Inspection. MOSFET and PPAP capable suitable for automotive applications.

Small Footprint (8x8 mm)

Low RDS(on)

Low QG and Capacitance

Wettable Flank Option

PPAP Capable

Compact Design

Minimize Conduction Losses

Minimize Driver Losses

Enhanced Optical Inspection

Applications

Reverser Battery protection

Switching power supplies

Power switches (High Side Driver, Low Side Driver, H-Bridges etc.)

End Products

Motor Control – EPS, Wipers, Fans, Seats, etc.

Load Switch – ECU, Chassis, Body

onsemi Type N-Channel MOSFET, 433 A, 40 V Enhancement, 8-Pin DFN NVMTS0D7N04CLTXG

Frais de livraison offerts pour toute commande de plus de 75,00 €

Liens connexes