Infineon AUIRF Type N-Channel MOSFET, 110 A, 55 V Enhancement, 3-Pin TO-263 AUIRF3205ZSTRL
- N° de stock RS:
- 229-1729
- Référence fabricant:
- AUIRF3205ZSTRL
- Fabricant:
- Infineon
Offre groupée disponible
Consulter les options de prix de grosSous-total (1 paquet de 5 unités)*
10,49 €
(TVA exclue)
12,695 €
(TVA incluse)
Frais de livraison offerts pour toute commande de plus de 90,00 €
Temporairement en rupture de stock
- Expédition à partir du 25 septembre 2026
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité | Prix par unité | le paquet* |
|---|---|---|
| 5 - 20 | 2,098 € | 10,49 € |
| 25 - 45 | 1,868 € | 9,34 € |
| 50 - 120 | 1,764 € | 8,82 € |
| 125 - 245 | 1,636 € | 8,18 € |
| 250 + | 1,512 € | 7,56 € |
*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 229-1729
- Référence fabricant:
- AUIRF3205ZSTRL
- Fabricant:
- Infineon
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 110A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 55V | |
| Series | AUIRF | |
| Package Type | TO-263 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 6.5mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 76nC | |
| Forward Voltage Vf | 1.3V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 170W | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | No | |
| Height | 4.83mm | |
| Length | 10.67mm | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 110A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 55V | ||
Series AUIRF | ||
Package Type TO-263 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 6.5mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 76nC | ||
Forward Voltage Vf 1.3V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Power Dissipation Pd 170W | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals No | ||
Height 4.83mm | ||
Length 10.67mm | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
The Infineon power MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. Additional features of this design are a 175°C junction operating temperature, fast switching speed and improved repetitive avalanche rating . These features combine to make this design an extremely efficient and reliable device for use in automotive applications and a wide variety of other applications.
It is RoHS compliant and AEC Q101 qualified
Liens connexes
- Infineon AUIRF Type N-Channel MOSFET 55 V Enhancement, 3-Pin TO-263
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 55 V Enhancement, 3-Pin TO-263
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 55 V Enhancement, 3-Pin TO-263 IRF3205STRLPBF
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 55 V Enhancement, 3-Pin TO-263 IRF3205ZSTRLPBF
- Infineon AUIRF Type P-Channel MOSFET 150 V Enhancement, 3-Pin TO-263
- Infineon AUIRF Type P-Channel MOSFET 150 V Enhancement, 3-Pin TO-263 AUIRF6215STRL
- Infineon AUIRFS Type N-Channel MOSFET 75 V, 3-Pin TO-263
- Infineon AUIRFS Type N-Channel MOSFET 60 V, 3-Pin TO-263