Références fabricant

Vishay N-Channel 30 V N-Channel MOSFET, 2.25 A, 30 V, 7-Pin SC-70 SQA470CEJW-T1_GE3

N° de stock RS:: 225-9937
Référence fabricant:: SQA470CEJW-T1_GE3
Fabricant:: Vishay

Vishay N-Channel 30 V N-Channel MOSFET, 2.25 A, 30 V, 7-Pin SC-70 SQA470CEJW-T1_GE3

Actuellement indisponible

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N° de stock RS:: 225-9937
Référence fabricant:: SQA470CEJW-T1_GE3
Fabricant:: Vishay

Spécifications

Documentation technique

Législations et de normes

Détails du produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	Vishay
	Channel Type	N
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	2.25A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	30V
	Package Type	SC-70
	Series	N-Channel 30 V
	Mount Type	Surface
	Pin Count	7
	Maximum Drain Source Resistance Rds	95mΩ
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	4.6nC
	Maximum Power Dissipation Pd	13.6W
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	12V
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Forward Voltage Vf	750mV
	Maximum Operating Temperature	175°C
	Width	2.05mm
	Standards/Approvals	AEC-Q101
	Length	2.05mm
	Automotive Standard	AEC-Q101

	Sélectionner tout
	Marque Vishay
	Channel Type N
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 2.25A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 30V
	Package Type SC-70
	Series N-Channel 30 V
	Mount Type Surface
	Pin Count 7
	Maximum Drain Source Resistance Rds 95mΩ
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 4.6nC
	Maximum Power Dissipation Pd 13.6W
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 12V
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Forward Voltage Vf 750mV
	Maximum Operating Temperature 175°C
	Width 2.05mm
	Standards/Approvals AEC-Q101
	Length 2.05mm
	Automotive Standard AEC-Q101

Datasheet - SQA470CEJW-T1_GE3

The Vishay Siliconix maintains Reliability data for Semiconductor Technology and Package Reliability represent a composite of all qualified locations.

TrenchFET power MOSFET

AEC-Q101 qualified

Wettable flank terminals

100 % Rg and UIS tested

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