Références fabricant

Vishay P-Channel 20 Type P-Channel MOSFET, 3.75 A, 20 V, 7-Pin SC-70

N° de stock RS:: 225-9935
Référence fabricant:: SQA401CEJW-T1_GE3
Fabricant:: Vishay

Vishay P-Channel 20 Type P-Channel MOSFET, 3.75 A, 20 V, 7-Pin SC-70

Sous-total (1 bobine de 3000 unités)*

435,00 €

(TVA exclue)

525,00 €

(TVA incluse)

Frais de livraison offerts pour toute commande de plus de 90,00 €

Temporairement en rupture de stock

Expédition à partir du 08 novembre 2027

Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails

Unité	Prix par unité	la bobine*
3000 +	0,145 €	435,00 €

*Prix donné à titre indicatif

N° de stock RS:: 225-9935
Référence fabricant:: SQA401CEJW-T1_GE3
Fabricant:: Vishay

Spécifications

Documentation technique

Législations et de normes

Détails du produit

Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.

Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	Vishay
	Channel Type	Type P
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	3.75A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	20V
	Series	P-Channel 20
	Package Type	SC-70
	Mount Type	Surface
	Pin Count	7
	Maximum Drain Source Resistance Rds	200mΩ
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	3.5nC
	Maximum Power Dissipation Pd	13.6W
	Forward Voltage Vf	-0.8V
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Operating Temperature	175°C
	Standards/Approvals	AEC-Q101
	Length	2.05mm
	Automotive Standard	AEC-Q101

	Sélectionner tout
	Marque Vishay
	Channel Type Type P
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 3.75A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 20V
	Series P-Channel 20
	Package Type SC-70
	Mount Type Surface
	Pin Count 7
	Maximum Drain Source Resistance Rds 200mΩ
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 3.5nC
	Maximum Power Dissipation Pd 13.6W
	Forward Voltage Vf -0.8V
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Operating Temperature 175°C
	Standards/Approvals AEC-Q101
	Length 2.05mm
	Automotive Standard AEC-Q101

Datasheet - SQA401CEJW-T1_GE3

The Vishay Siliconix maintains Reliability data for Semiconductor Technology and Package Reliability represent a composite of all qualified locations.

TrenchFET power MOSFET

AEC-Q101 qualified

Wettable flank terminals

100 % Rg and UIS tested

Liens connexes

Soyez le/la premier·ère à être informé de nos nouveautés produits et de nos offres spéciales.

adresse e-mail

Les données personnelles que vous nous fournissez en vous inscrivant à cette liste de diffusion seront traitées conformément à notre politique de confidentialité.