Références fabricant

ROHM Dual 2 Type P-Channel MOSFET, 3.5 A, 60 V Enhancement, 8-Pin TSMT QH8JC5TCR

N° de stock RS:: 223-6206
Référence fabricant:: QH8JC5TCR
Fabricant:: ROHM

ROHM Dual 2 Type P-Channel MOSFET, 3.5 A, 60 V Enhancement, 8-Pin TSMT QH8JC5TCR

Actuellement indisponible

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N° de stock RS:: 223-6206
Référence fabricant:: QH8JC5TCR
Fabricant:: ROHM

Spécifications

Documentation technique

Législations et de normes

Détails du produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	ROHM
	Transistor Configuration	Dual
	Number of Elements per Chip	2
	Channel Type	Type P
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current (Id)	3.5 A
	Maximum Drain Source Voltage (Vds)	60 V
	Channel Mode	Enhancement
	Pin Count	8
	Package Type	TSMT
	Automotive Standard	No
	Forward Voltage (Vf)	-1.2 V
	Height	850 μm
	Length	3.3 mm
	Maximum Drain Source Resistance (Rds)	0.91 Ω
	Maximum Gate Source Voltage (Vgs)	20 V
	Maximum Operating Temperature	150 °C
	Maximum Power Dissipation (Pd)	1.5 W
	Minimum Operating Temperature	-55 °C
	Mount Type	Surface
	Standards/Approvals	No
	Typical Gate Charge (Qg) @ Vgs	17.3 nC
	Width	2.8 mm

	Sélectionner tout
	Marque ROHM
	Transistor Configuration Dual
	Number of Elements per Chip 2
	Channel Type Type P
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current (Id) 3.5 A
	Maximum Drain Source Voltage (Vds) 60 V
	Channel Mode Enhancement
	Pin Count 8
	Package Type TSMT
	Automotive Standard No
	Forward Voltage (Vf) -1.2 V
	Height 850 μm
	Length 3.3 mm
	Maximum Drain Source Resistance (Rds) 0.91 Ω
	Maximum Gate Source Voltage (Vgs) 20 V
	Maximum Operating Temperature 150 °C
	Maximum Power Dissipation (Pd) 1.5 W
	Minimum Operating Temperature -55 °C
	Mount Type Surface
	Standards/Approvals No
	Typical Gate Charge (Qg) @ Vgs 17.3 nC
	Width 2.8 mm

Datasheet - QH8JC5TCR

The ROHM power MOSFET has TO-3PF package type. It is mainly used for switching.

Fast reverse recovery time (trr)

Low on-resistance

Fast switching speed

Drive circuits can be simple

Pb-free plating, RoHS compliant

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