Infineon IMW1 Type N-Channel MOSFET, 13 A, 1200 V Enhancement, 3-Pin TO-247 IMW120R220M1HXKSA1
- N° de stock RS:
- 222-4858
- Référence fabricant:
- IMW120R220M1HXKSA1
- Fabricant:
- Infineon
Offre groupée disponible
Sous-total (1 paquet de 2 unités)*
10,43 €
(TVA exclue)
12,62 €
(TVA incluse)
Frais de livraison offerts pour toute commande de plus de 75,00 €
En stock
- 786 unité(s) prête(s) à être expédiée(s) d'un autre centre de distribution
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité | Prix par unité | le paquet* |
|---|---|---|
| 2 - 8 | 5,215 € | 10,43 € |
| 10 - 18 | 4,695 € | 9,39 € |
| 20 - 48 | 4,43 € | 8,86 € |
| 50 - 98 | 4,12 € | 8,24 € |
| 100 + | 3,805 € | 7,61 € |
*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 222-4858
- Référence fabricant:
- IMW120R220M1HXKSA1
- Fabricant:
- Infineon
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 13A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 1200V | |
| Package Type | TO-247 | |
| Series | IMW1 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 22mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Standards/Approvals | No | |
| Automotive Standard | No | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 13A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 1200V | ||
Package Type TO-247 | ||
Series IMW1 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 22mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Standards/Approvals No | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon CoolSiC™ 1200 V, 220 mΩ SiC MOSFET in TO247-3 package build on a state-of-the-art trench semiconductor process optimized to combine performance with reliability. In comparison to traditional silicon (Si) based switches like IGBTs and MOSFETs, the SiC MOSFET offers a series of advantages. These include, the lowest gate charge and device capacitance levels seen in 1200 V switches, no reverse recovery losses of the internal commutation proof body diode, temperature independent low switching losses, and threshold-free on-state characteristic.
Best in class switching and conduction losses
Benchmark high threshold voltage, Vth > 4 V
0V turn-off gate voltage for easy and simple gate drive
Wide gate-source voltage range
Robust and low loss body diode rated for hard commutation
Temperature independent turn-off switching losses
Liens connexes
- Infineon IMW1 N-Channel MOSFET 1200 V, 3-Pin TO-247 IMW120R220M1HXKSA1
- Infineon IMW1 N-Channel MOSFET 1200 V, 3-Pin TO-247 IMW120R350M1HXKSA1
- Infineon IMW1 N-Channel MOSFET 1200 V, 3-Pin TO-247 IMW120R060M1HXKSA1
- Infineon IMW1 N-Channel MOSFET 1200 V, 3-Pin TO-247 IMW120R045M1XKSA1
- Infineon IMW1 N-Channel MOSFET 1700 V, 3-Pin TO-247 IMW120R045M1XKSA1
- Infineon IMZ1 N-Channel MOSFET 1200 V, 4-Pin TO-247-4 IMZ120R220M1HXKSA1
- Infineon N-Channel MOSFET 1200 V, 3-Pin TO-247 IMW120R040M1HXKSA1
- Infineon N-Channel MOSFET 1200 V, 3-Pin TO-247 IMW120R030M1HXKSA1