Infineon IMW1 Type N-Channel MOSFET, 13 A, 1200 V Enhancement, 3-Pin TO-247

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N° de stock RS:
222-4857
Référence fabricant:
IMW120R220M1HXKSA1
Fabricant:
Infineon
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Marque

Infineon

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

13A

Maximum Drain Source Voltage Vds

1200V

Series

IMW1

Package Type

TO-247

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

22mΩ

Channel Mode

Enhancement

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

The Infineon CoolSiC™ 1200 V, 220 mΩ SiC MOSFET in TO247-3 package build on a state-of-the-art trench semiconductor process optimized to combine performance with reliability. In comparison to traditional silicon (Si) based switches like IGBTs and MOSFETs, the SiC MOSFET offers a series of advantages. These include, the lowest gate charge and device capacitance levels seen in 1200 V switches, no reverse recovery losses of the internal commutation proof body diode, temperature independent low switching losses, and threshold-free on-state characteristic.

Best in class switching and conduction losses

Benchmark high threshold voltage, Vth > 4 V

0V turn-off gate voltage for easy and simple gate drive

Wide gate-source voltage range

Robust and low loss body diode rated for hard commutation

Temperature independent turn-off switching losses

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