Infineon CoolMOS Type N-Channel MOSFET, 33 A, 700 V Enhancement, 4-Pin TO-247 IPZ65R065C7XKSA1
- N° de stock RS:
- 222-4729
- Référence fabricant:
- IPZ65R065C7XKSA1
- Fabricant:
- Infineon
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Unité | Prix par unité | le paquet* |
|---|---|---|
| 2 - 8 | 6,50 € | 13,00 € |
| 10 - 18 | 5,785 € | 11,57 € |
| 20 - 48 | 5,395 € | 10,79 € |
| 50 - 98 | 5,07 € | 10,14 € |
| 100 + | 4,685 € | 9,37 € |
*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 222-4729
- Référence fabricant:
- IPZ65R065C7XKSA1
- Fabricant:
- Infineon
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 33A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 700V | |
| Package Type | TO-247 | |
| Series | CoolMOS | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 4 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 65mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 65nC | |
| Forward Voltage Vf | 0.9V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 171W | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Height | 21.1mm | |
| Width | 5.21 mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Length | 16.13mm | |
| Automotive Standard | No | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 33A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 700V | ||
Package Type TO-247 | ||
Series CoolMOS | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 4 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 65mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 65nC | ||
Forward Voltage Vf 0.9V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 171W | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Height 21.1mm | ||
Width 5.21 mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Length 16.13mm | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon design of Cool MOS™ C7 series combines the experience of the leading SJ MOSFET supplier with high class innovation. The product portfolio provides all benefits of fast switching super junction MOSFETs offering better efficiency, reduced gate charge, easy implementation and outstanding reliability.
Increased MOSFET dv/dt ruggedness
Better efficiency due to best in class FOM RDS(on)*Eoss and RDS(on)*Qg
Best in class RDS(on) /package
Pb-free plating, halogen free mold compound
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