Infineon CoolMOS Type N-Channel MOSFET, 33 A, 700 V Enhancement, 4-Pin TO-247
- N° de stock RS:
- 222-4728
- Référence fabricant:
- IPZ65R065C7XKSA1
- Fabricant:
- Infineon
Offre groupée disponible
Sous-total (1 tube de 30 unités)*
110,85 €
(TVA exclue)
134,13 €
(TVA incluse)
Frais de livraison offerts pour toute commande de plus de 75,00 €
En stock
- Plus 300 unité(s) expédiée(s) à partir du 30 décembre 2025
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité | Prix par unité | le tube* |
|---|---|---|
| 30 - 30 | 3,695 € | 110,85 € |
| 60 - 120 | 3,525 € | 105,75 € |
| 150 + | 3,436 € | 103,08 € |
*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 222-4728
- Référence fabricant:
- IPZ65R065C7XKSA1
- Fabricant:
- Infineon
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 33A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 700V | |
| Series | CoolMOS | |
| Package Type | TO-247 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 4 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 65mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 65nC | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 171W | |
| Forward Voltage Vf | 0.9V | |
| Standards/Approvals | No | |
| Height | 21.1mm | |
| Length | 16.13mm | |
| Width | 5.21 mm | |
| Automotive Standard | No | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 33A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 700V | ||
Series CoolMOS | ||
Package Type TO-247 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 4 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 65mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 65nC | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 171W | ||
Forward Voltage Vf 0.9V | ||
Standards/Approvals No | ||
Height 21.1mm | ||
Length 16.13mm | ||
Width 5.21 mm | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon design of Cool MOS™ C7 series combines the experience of the leading SJ MOSFET supplier with high class innovation. The product portfolio provides all benefits of fast switching super junction MOSFETs offering better efficiency, reduced gate charge, easy implementation and outstanding reliability.
Increased MOSFET dv/dt ruggedness
Better efficiency due to best in class FOM RDS(on)*Eoss and RDS(on)*Qg
Best in class RDS(on) /package
Pb-free plating, halogen free mold compound
Liens connexes
- Infineon CoolMOS™ Silicon N-Channel MOSFET 700 V, 4-Pin TO-247-4 IPZ65R065C7XKSA1
- Infineon CoolMOS™ Silicon N-Channel MOSFET 700 V, 3-Pin TO-247 IPW65R048CFDAFKSA1
- Infineon CoolMOS™ N-Channel MOSFET 700 V, 4-Pin TO-247-4 IPZA65R018CFD7XKSA1
- Infineon CoolMOS™ C7 N-Channel MOSFET 700 V, 4-Pin TO-247-4 IPZ65R045C7XKSA1
- Infineon CoolMOS™ Silicon N-Channel MOSFET 700 V, 3-Pin IPAK IPSA70R1K4P7SAKMA1
- Infineon CoolMOS™ Silicon N-Channel MOSFET 600 V, 4-Pin TO-247-4 IPZA60R037P7XKSA1
- Infineon CoolMOS™ Silicon N-Channel MOSFET 600 V, 4-Pin TO-247-4 IPZ60R017C7XKSA1
- Infineon CoolMOS™ N-Channel MOSFET 700 V, 3-Pin TO-247 IPW65R090CFD7XKSA1
