Infineon CoolMOS Type N-Channel MOSFET, 31.2 A, 650 V Enhancement, 3-Pin TO-263 IPB65R190C7ATMA2
- N° de stock RS:
- 222-4658
- Référence fabricant:
- IPB65R190C7ATMA2
- Fabricant:
- Infineon
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- N° de stock RS:
- 222-4658
- Référence fabricant:
- IPB65R190C7ATMA2
- Fabricant:
- Infineon
Spécifications
Documentation technique
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Détails du produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 31.2A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 650V | |
| Series | CoolMOS | |
| Package Type | TO-263 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 110mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Standards/Approvals | No | |
| Automotive Standard | No | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 31.2A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 650V | ||
Series CoolMOS | ||
Package Type TO-263 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 110mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Standards/Approvals No | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon design of Cool MOS is a revolutionary technology for high voltage power MOSFETs, designed according to the super junction (SJ) principle and pioneered by Infineon Technologies. 600V Cool MOS™ C7 series combines the experience of the leading SJ MOSFET supplier with high class innovation. The 600V C7 is the first technology ever with RDS(on)*A below 1Ohm*mm².
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