Infineon CoolMOS Type N-Channel MOSFET, 6 A, 700 V Enhancement, 3-Pin TO-220 IPA70R900P7SXKSA1

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222-4644
Référence fabricant:
IPA70R900P7SXKSA1
Fabricant:
Infineon
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Marque

Infineon

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

6A

Maximum Drain Source Voltage Vds

700V

Package Type

TO-220

Series

CoolMOS

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

900mΩ

Channel Mode

Enhancement

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

The Infineon design of Cool MOS™ is a revolutionary technology for high voltage power MOSFETs, designed according to the super junction (SJ) principle and pioneered by Infineon Technologies. The latest Cool MOS™ P7 is an optimized platform tailored to target cost sensitive applications in consumer markets such as charger, adapter, lighting, TV, etc.

Extremely low losses due to very low FOM RDS(on)*Qg and RDS(on)*Eoss

Product validation acc. JEDEC Standard

Low switching losses (Eoss)

Integrated ESD protection diode

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